碳化硅制品-碳化硅-博萱耐磨材料

碳化硅在半导体范畴的使用

碳化硅一维纳米资料因为本身的微观描摹和晶体结构使其具有更多---的优异功用和愈加广泛的使用远景，被普遍认为有望成为第三代宽带隙半导体资料的重要组成单元。

第三代半导体资料即宽禁带半导体资料，又称高温半导体资料，首要包含碳化硅、氮化、氮化铝、氧化锌、金刚石等。这类资料具有宽的禁带宽度（禁带宽度大于2.2ev）、高的热导率、高的击穿电场、高的抗辐射才能、高的电子饱和速率等特点，适用于高温、高频、抗辐射及大功率器件的制造。第三代半导体资料凭借着其优异的特性，未来使用远景非常宽广。

碳化硅为什么是第三代半导体的材料呢？

碳化硅器件的优势特性

碳化硅（sic）是目前发展成熟的宽禁带半导体材料，碳化硅制品，---对sic的研究非常重视，纷纷投入大量的人力物力积极发展，碳化硅，美国、欧洲、日本等不仅从层面上制定了相应的研究规划，而且一些国际电子业---也都投入巨资发展碳化硅半导体器件。